Wafer là 1 trong những miếng silinhỏ mỏng manh chừng 30 mil (0.76 mm) được cắt ra từ bỏ thanh silibé hình trụ. Thiết bị này được thực hiện cùng với tư bí quyết là vật tư nền nhằm phân phối vi mạch tích hợp (người ta “cấy” lên ở trên đó rất nhiều vật liệu khác nhau để tạo ra mọi vi mạch cùng với phần đông công năng khác nhau. Vật liệu đó thường là các kim loại tổng hợp như: GaSb, GaAs, GaP… ). Đa số, các vi mạch bây giờ số đông được sản xuất bằng cách cấy wafer khác biệt để tạo thành hồ hết vi mạch cùng với phần đông công dụng không giống nhau, phụ thuộc vào vào môi trường ứng dụng của vi mạch nhưng mà chắt lọc những wafer phù hợp.

Bạn đang xem: Silicon wafer là gì


*

Các wafer gồm kích cỡ mức độ vừa phải từ bỏ 25,4milimet (1 inch) – 200milimet (7.9 inch). Với sự trở nên tân tiến của ngành công nghệ vi mạch hiện giờ, những đơn vị phân phối vi mạch danh tiếng bên trên nhân loại nhỏng Intel, TSMC giỏi Samsung đang nâng size của wafer lên 300milimet (12 inch), thậm chí là lên 450milimet (18 inch). Việc size wafer được tạo thêm đang khiến cho Chi phí của một vi mạch trở cần vô cùng rẻ. vì vậy, vào quá trình sản xuất, giả dụ cung cấp được wafer càng lớn thì chi phí chế tạo sẽ sút (bởi tiết kiệm ngân sách được vật liệu sản xuất).Quy trình thêm vào WaferSản xuất wafer là một trong các bước vô cùng trở ngại cùng đòi hỏi không hề ít kỹ năng. Đa số các công ty tiếp tế hiện nay mọi thực hiện phổ biến một quy trình.
*

1. Chuẩn bị tấm wafer
Đây là bước tinch chế (cách xử trí hóa học)cát (SiO2) thành Silic nguyên ổn chất (99.9999%). Silic đã tinc thanh lọc được nung tan với trở thành thỏi hình tròn trụ.Silic nguyên chất sẽ được pha thêm tạp hóa học là các nguim tố đội 3 hoặc đội 5. lấy ví dụ như pha B sẽ được wafer các loại p, trộn Phường vẫn ra wafer một số loại n.Những thỏi silic đósẽ tiến hành bổ thành các tnóng tròn 2 lần bán kính 200mm(8 inch)hoặc 300mm(12 inch)cùng với bề dày cỡ 750um và được tấn công bóng cho tới Lúc bọn chúng có mặt phẳng tuyệt vời nhất, nhẵn bóng nlỗi gương. Có các công ty siêng phân phối silibé wafer. Chẳng hạn Shin"Etsu là công ty hỗ trợ khoảng chừng 40% silicon wafer mang lại Thị phần chào bán dẫn Nhật Bản. Giá một tấm wafer 200mm khoảng tầm trăng tròn USD.
*

*

*
Chíp nai lưng, sau thời điểm giảm rời ra khỏi tấm silicon, được xếp vào trong số ktốt và tiếp đến được hàn bên trên các size sản xuất sẵn hotline là Lead frame, xem 1b ở hình bên trên (và ảnh mặt là Leadframe của Alcatel Microelectronics) cơ mà thông qua đó bạn có thể dỡ gắn chíp bên trên các mạch điện tử một giải pháp thuận tiện. Ở công đoạn này từng nhà phân phối đã chọn lựa cho bạn đều dây truyền công nghệ phù hợp cùng với năng suất phân phối cũng như kỹ năng tài chính. Trừ mọi công ty sản xuất bự, phần nhiều những cửa hàng nhỏ tuổi và vừa thường xuyên sàng lọc những thứ hàn die nhân công (manual) hoặc phân phối auto. Ở quy trình này, chíp è được gắp bởi cây viết chân ko hoặc kẹp chân không (ảnh). Kỹ thuật này chất nhận được giữ chíp một cách chắc hẳn rằng đôi khi ko có tác dụng tổn định sợ mang lại mặt phẳng chíp.

Xem thêm: Tên Thật Của Chị Lão Soái Nhi Tên Thật Là Gì, Soái Nhi 2021


*
Ở một số trong những đồ vật (như của hãngWESTBOND), kỹ sư sản xuất sản phẩm công nghệ gắn vào thêm một bộ động cơ vào đầu gắp chân ko, có thể chấp nhận được đặt chíp vào đúng vị trí của leadframe bằng phương pháp chỉnh méo bên dưới kính hiển vi quang học tập hoặc CCD camera. Hai kỹ thuật hay được áp dụng để lắp die lên trên mặt leadframe đó là chuyên môn eutectic với kỹ thuật dùng keo dính.
Kỹ thuật hàn sử dụng keo dính dính
- làm việc nghệ thuật này bạn ta thường dùng những thích hợp chất có tính chất bám dính xuất sắc nlỗi polyimide, epoxy hoặc keo dán bạc có tác dụng vật liệu hàn lúc gắn thêm chíp lên leadframe. Sau Lúc xác định được địa điểm tương hợp thân die cùng cấu hình bên trên leadframe, die sẽ được đẩy ra khỏi cây viết chân ko, nén lên trên mặt phẳng của epoxy cùng quy trình hàn hoàn thành.
Kỹ thuật hàn eutectic, thường được vận dụng trong đóng gói kín, áp dụng kim loại tổng hợp cùng tinc để gắp die lên trên leadframe. Kỹ thuật hàn tiên tiến và phát triển này dựa trên bài toán sử dụng vật tư hàn tạo ra kim loại tổng hợp cùng tinc ở 1 điều ánh nắng mặt trời quan trọng nào kia, với điểm nóng rã của kim loại tổng hợp hay thấp rộng Khi nó nghỉ ngơi dạng sắt kẽm kim loại đơn nhất. Hợp kyên Au-Si, Au-Sn hoặc Pd-Si thường xuyên được sử dụng rộng thoải mái trong kỹ thuật này. Để thêm được die lên leadframe đầu tiên người ta tủ một lớp vàng cùng với độ dầy tương xứng lên trên mặt phẳng leadframe hoặc die).
Trong quy trình hàn, ánh sáng cao đã làm cho khuếch tán những phân tử silic tự mặt phẳng die lên lớp rubi của leadframe, tạo thành thuộc tinch Au-Si (ví dụ, hợp kim Au-Si với 2.85% Au có tâm điểm chày nghỉ ngơi 3630C). Khi hàn bạn ta sẽ nâng nhiệt độ cao hơn Tm một chút ít, thường xuyên là cỡ 10°C đối với nhiệt độ eutectic dẫn đến việc liên khuếch tán thân hóa học rắn và hóa học lỏng sống mặt phẳng phân làn. Hợp kyên eutectic sau đó hoá rắn cùng được thiết kế rét mướt. Hợp phần, điểm thuộc tinc của một một số trong những kim loại tổng hợp được liệt kê vào bảng dưới đây.
Bài viết liên quan

Trả lời

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *